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ESD产生可分为五个阶段进行:

1.     先期电晕放电（Corona Discharge） , 产生RF辐射波.

2.     先期电场放电（Pre-discahrge E-Field）

3.     电场放电崩溃（Collapse）

4.     磁场放电(Discharge H-Field)

5.     电流释出， 并产生瞬时电压（Transient Voltage）

8-2 电子装备之ESD问题

1.     直接放电到电子组件

由电压导致的破坏

(1)    以MOS（Metal Oxide Semiconductar）DEVICE为主

(2)    当ESD电压超过氧化层（如SiO2）的Breakdown Voltage时， 即造成组件破坏.

(3)    由电场引起

  由电流导致的破坏

(1)    以BIPOLAR ( Schottky , TTL) DEVICE 为主

(2)    当ESD电流达到2~5A时， 因焦耳效应产生的高热（I²t）, 将IC JUNCTION烧坏.

(3)    由磁场引起